| 型号： | STB11NM60-1 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
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| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| STB11NM60-1 PDF |  |
| 其它有关文件 | STB11NM60 View All Specifications |
| 产品目录绘图 | ST Series I2PAK |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | MDmesh™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 450 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 160W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1543 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-5379-5 STB11NM60-1-ND |